PEMD10,115
NXP USA Inc.
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Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.00 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-666 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2kOhms |
Leistung - max | 300mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Paket | Bulk |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | - |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
Grundproduktnummer | PEMD10 |
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
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2024/05/15
2024/04/10
2024/01/23
PEMD10,115NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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